Menü

Silizium Phototransistoren

  • Silizium Phototransistoren

    Der Silizium Phototransistor ist für Anwendungen entwickelt, die eine mittlere Verstärkung und einen weiten Betrachtungswinkel erfordern.
      • Quadratische, aktive Fläche
      • Empfindlichkeitsbereich 400 nm – 1.000 nm
      • Mittlere Verstärkung, typisch 500 Hfe
      • Hohe Verlässlichkeit
      • Hermetisches Gehäuse (TO-45 Metall)
Sie haben Fragen? Kontaktieren Sie uns: